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    國內首條波長280納米的深紫外LED生產線今天在青島杰生電氣有限公司建成并投產，標志著我國半導體照明產業的發展水平實現質的飛躍。據悉，這是深紫外LED在國內首次實現商業化量產。據青島杰生電氣有限公司董事長兼總經理張國華介紹，他們研發生產的具有自主創新知識產權的深紫外LED產品，委托了目前國內唯一具有深紫外LED檢測能力的杭州遠方光電信息股份有限公司進行了產品檢測。記者從“杭州遠方”出具的測試報告看到，青島杰生電氣自主研發生產的波長280納米的深紫外LED,在20毫安連續直流電流下，發光強度超過2.0毫瓦，外量子效率大于2.5；目前用它制成的深紫外LED模組標定輸出功率超過32毫瓦。III-V族氮化物是目前所知的最理想，覆蓋光譜最全的全固態紫外發光材料。被廣泛的應用于消毒、水和食品處理、醫療器械、高分子聚合物固化、防偽、軍事通信等領域，具有體積小、光密度高、無污染等優點。波長為255—280納米的紫外線對細菌和病毒有著很強的殺傷力。主要原因是所有的細菌，病毒的遺傳物質（DNA）對這個波段的紫外線有著很強的吸收，紫外線光子所攜帶的能量能有效的破壞DNA的鏈狀結構，使細菌和病毒無法復制（繁殖），從而達到消毒滅菌效果。成立于2001年的青島杰生電氣有限公司，一直致力于氮化鎵基金屬有機物化學氣相沉積設備（GaN-MOCVD）的研發，取得了MOCVD設備制造技術、高質量GaN外延材料制備技術、高性能p型GaN材料制備技術、高質量InGaN/GaN多量子阱制備技術、高亮度GaN藍光、紫光以及紫外光LED外延片制備技術、高Al組分AlGaN材料制備技術和深紫外LED制造技術等關鍵技術突破。他們自主研發生產的國內首臺深紫外LED外延生長設備，打破了該設備一直被國外公司壟斷的局面。2002年與西安電子科技大學合作，承擔了國家科研項目，成功研制出我國首臺2英寸單片和2英寸3片GaN-MOCVD設備，該設備被青島市認定為高新技術產品，該項目還獲得國防科技進步二等獎，2005年獲陜西省科技進步一等獎。2006年承擔了國家高技術研究發展計劃（863計劃）新材料技術領域重大項目“半導體照明工程”—“GaN-深紫外材料生長MOCVD設備”課題，以專家組評比第一的成績獲得國家重大專項課題的支持，這標志著杰生電氣研制的MOCVD設備已經達到國內領先水平，這也是青島市首次在新材料領域獲得國家重大科技項目支持。近年來，該公司從國外引進了LED領域的博士創新團隊。在科技部和半導體照明產業聯盟的關懷下，青島市和嶗山區兩級政府分別以撥改投的形式給予5000萬資金的支持，成功開發出具有獨立自主知識產權的特種高鋁組分GaN-MOCVD設備和深紫外LED產品。該公司是目前國內唯一一家能夠專業化生產GaN-MOCVD設備廠家，同時利用自產MOCVD設備，建成了從外延生長、芯片制備及到封裝的專業化深紫外LED生產線。波長為小于300納米的深紫外LED生產線設計年產規模達到1000萬粒，成為國內唯一深紫外LED專業化生產廠家。