中鎵半導體：打造LED高端領域領軍企業
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- 發布時間：2014-07-10
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中鎵半導體：打造LED高端領域領軍企業
科技東莞5周年中鎵半導體：打造LED高端領域領軍企業李治邦在低碳經濟風行全球的大背景下，LED產業作為21世紀的朝陽產業，以其節能、安全、長壽、穩定等突出特點廣受矚目。東莞市把LED產業列為重點培育的戰略性新興產業之一，未來5年至少將投入25億元重點扶持LED產業發展。此前出臺的《東莞市推進LED產業發展與應用示范工作實施方案》明確提出，未來要重點支持中鎵氮化鎵（GaN）基襯底材料產業化基地等重大科技項目發展。東莞市中鎵半導體科技有限公司實現跨越式發展迎來了難得的歷史機遇。注重研發催生無限活力“研發是企業的生命，人才是科技的代表。”東莞市中鎵半導體科技有限公司董事長陳健民如此表述研發和人才對于科技企業的重要意義。中鎵公司總部位于東莞市企石鎮科技工業園，總部廠房及辦公區面積達1.7萬多平方米；該公司還在北京設立了面積達1000平方米的大型研發中心。作為我國首家專業生產氮化鎵基襯底材料的企業，中鎵公司在LED相關高精密設備制造等方面具有雄厚的實力。該項目還被確定為東莞市2010年重點投資項目，投資額達1億多元，具有良好的經濟和社會效益。中鎵公司創造性地采用MOCVD（金屬有機物化學氣相沉積）技術、激光剝離技術、HVPE技術相結合的方法，研發生產的產品包括GaN基襯底、GaN／Al2O3復合襯底和圖形化藍寶石襯底（PSS）以及生產上述產品的設備，如激光剝離設備等。
擁有多項技術的自主知識產權是中鎵公司在國內外競爭中能夠處于優勢地位的重要保證。中鎵公司在重視研發的同時，非常重視發揮人才的重要作用。該公司已聘請著名物理學家、中國科學院院士、北京大學教授甘子釗為公司咨詢委員會主席，聘請北京大學寬禁帶半導體研究中心主任張國義教授為公司總經理、北京大學寬禁帶半導體研究中心副主任童玉珍副教授為公司副總經理、日本千葉大學工學博士秦志新副教授為中鎵公司北京研發中心負責人。同時，中鎵公司建立了氮化鎵基襯底、圖形化藍寶石襯底、外延芯片、藍光激光器等多條研發生產線，掌握GaN外延層的大面積、低功率激光剝離技術，擁有固體激光器無損剝離GaN與藍寶石襯底等多項技術專利。截至目前，中鎵公司擁有國家授權的發明專利3項，申請發明專利3項，申請PCT國際專利1項。目前該公司正與北京大學聯合申報國家863計劃重點項目。依靠創新建立領先平臺重視建設和引進創新型人才隊伍是中鎵公司得以快速發展的關鍵。廣東省首批引進了12個戰略性新興產業創新科研團隊，中鎵公司的寬禁帶半導體研究中心團隊就是其中之一。
該團隊是由9名老中青學者組成的科研隊伍，由甘子釗率領，主要研究方向為氮化物材料生長和器件研究，團隊整體科研實力達到世界一流水平，是目前全球少數幾個掌握氮化鎵基襯底材料產業化技術的團隊之一。中鎵公司引進這一團隊成功填補了國內半導體上游氮化鎵基襯底材料產業鏈上的缺口。該團隊在中鎵公司從事研發生產，負責籌建東莞北大中鎵半導體研發中心，推動東莞成為我國氮化物半導體研發、生產基地，還將爭取用5年左右時間，為東莞培養一支自主研發隊伍。對于帶領團隊“落戶”中鎵公司，甘子釗表示：“光電行業是一個知識比較密集的行業。我們要通過創新不斷提高整支隊伍的素質，促進企業生產技術的成熟與進步。在這一基礎上再充分利用中鎵公司位于珠三角腹地，毗鄰深圳、香港等便利條件，在重視自主研發的同時有效引進海外優勢技術。這不僅能實現中鎵公司的快速發展，也能推動東莞及珠三角LED產業的進步，甚至在全國起到帶頭作用。”先進技術奠定市場優勢第2頁共2頁當前，對于東莞乃至全國而言，光電產業已成為業界焦點。東莞在LED封裝領域的優勢十分突出，但從整個產業鏈來看，主要集中在下游環節，在生產設備、襯底材料、外延片、芯片等上中游環節與國際水平差距明顯。“一條完整的LED產業鏈由幾個環節構成，從上游的襯底材料、外延片和芯片制造到中游的封裝再到下游的應用，都不可或缺。因此，如何從下游走向上游、從低端走向高端，決定著東莞LED產業未來的發展前景。”曾擔任“九五”國家863計劃LED信息光電子主題專家組專家、“十五”國家半導體照明專家組成員的中鎵公司總經理張國義，對于LED產業的發展現狀有著很深的認識。他表示，隨著以中鎵公司為代表的一批上游LED企業的發展，東莞LED產業鏈條的中上游環節將得到極大增強。“從目前情況看，發展形勢越來越明朗，企業前進的后勁也很足”。
據介紹，從技術特性上看，中鎵公司目前已經具備行業領先的技術水平和實力。在傳統的工藝制備中，外延片是在藍寶石、碳化硅或硅的基底上生長出來的，然后再切割、打磨成LED芯片。但中鎵公司選擇在氮化鎵基襯底上生長出外延片的路徑，可以生產出更優質的外延片。為了強化技術優勢，該公司還收購一家韓國公司并吸收其技術，斥資4000多萬元從德國愛思強公司進口兩臺用于外延片制備的MOCVD設備。“氮化鎵基襯底材料具有‘三高’特點，即技術高、難度高、價格高，因此可以帶來更高的利潤率并且前景廣闊。”中鎵公司高級工程師孫永健表示，中鎵公司獨創出在氮化鎵基襯底上生長出外延片的技術，在生產氮化鎵基襯底材料的同時，為了在價格和性能上取得平衡，還研制出復合襯底材料，“這是一個折衷的辦法，價格要比氮化鎵基襯底低，但是技術原理相似，性能也比目前市場上的襯底材料要好很多。”主攻LED上游環節技術的企業在東莞乃至珠三角并不多見，類似中鎵公司這樣擁有襯底材料領先技術的企業在全國更是寥寥無幾。“中國LED產業的發展趨勢必定是由下游環節向上游環節轉移。中鎵公司在這方面已經走在前面。”孫永健表示，這正是中鎵公司主攻襯底材料的原因。“技術就是王道，有了技術自然就擁有了市場。”中鎵公司市場營銷部門負責人表示，該公司在市場上已受到廣泛關注，“中鎵在氮化鎵基襯底技術應用生產前，已經通過技術人員在國內外學術會議上對這一技術進行了展示，在業界樹立了口碑。這種影響為開拓市場打下堅實基礎，從目前各方面反饋情況看，優勢正在不斷擴大，發展前景也被普遍看好。”
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